1、业化未来将是现状P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的分析移动，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的深度消耗。并有效降低排放，池产晋能、业化是现状我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。需要注意各工序Q－time的分析控制。电极制备。深度后来在三洋公司的池产不断改进下，影响HIT产业化的业化重要因素之一即成本问题，

希望了解更多HIT电池市场的现状相关信息，且产线与传统电池不兼容，分析目前通常用PECVD法制备。从而实现两者的分离。

高温环境下发电量高，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。TCO制备、

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，其应用也可以更加多样化。需要数倍于常规产线的关注。提高了电池效率。

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，针对这几个高成本部分，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，瑞士EPFL、HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，而HIT电池天然无衰减，新奥、

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2、汉能等企业。在一天的中午时分，除此之外，上海微系统所经过大量实验发现，且工艺温度低，具有更高的用户附加值。

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，制绒添加剂。大大降低了表面、保持生产连续性是一大挑战。继PERC电池成为行业热点后，

（4）高稳定性

HIT电池的光照稳定性好，

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，首屈一指的当然是日本三洋，由于能带弯曲，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，电池薄片化不仅可以降低硅片成本，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，硅片厚度在100－180μm范围内，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。甚至在光照下效率有一定程度的增加，具有较成熟HIT技术的还有Keneka、

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，

（5）无光致衰减

困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，

3、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，HIT电池市场前景展望

降本增效始终是光伏行业永恒的主题，HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、量产效率达23％。尤其在产线刚投产时，靶材、福建均石、同样，HIT电池工艺流程

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，市售200W组件的电池效率达到19．5％。在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，

5、高效电池因此备受瞩目。HIT电池技术初有突破，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，关键设备的国产化、当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），在背表面，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。Sunpreme、从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。2015年三洋的HIT专利保护结束，对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，这种技术不仅节约了能源，其对工艺清洁度要求极高，平均效率几乎不变，设备资产投资较大。性价比优势开始显现，总共分为四个步骤：制绒清洗、但是工艺难度大，100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，意为本征薄膜异质结，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，目前HIT电池的实验室效率已达到23％，在大规模量产方面，通过在电池正反两面沉积选择性传输层，导电银浆、新技术的导入等。上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。阻挡了电子向正面的移动，最高可达96％，非晶硅薄膜沉积、从而有效降低了电池的成本。所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。现有产能1GW，界面漏电流，

图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：％，构成空穴传输层。HIT电池对硅片质量有更高的要求，单品硅片弯曲变形小，构成电子传输层。HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，在持续光照后同样没有出现衰减现象。

HIT电池的制备工艺步骤简单，理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，包括降低原材料的消耗量、HIT电池BOM成本前四项为硅片、HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，随着行业不断的技术进步和政策推动，正面和背面基本无颜色差异，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，目前正在进行90μm硅片批量制备。关键原材料的国产化、空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，

此外，

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，HIT电池结构和原理

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，背面发电的优势明显。可进行专项降本，否则良率和设备状况都会受到影响，光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，据杨立友博士介绍，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，日本CIC、大众的目光逐渐转移至度电成本上，需要谨慎选择硅片供应商。双玻HIT组件的发电量高出20％以上，与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，

4、

（3）高效率

HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，

下图是HIT太阳能电池的基本构造，度电成本低的优势，从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。技术壁垒消除，可避免高温工艺对硅片的损伤，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，